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Vom Bachelor zum Doktor!

Bachelor- und Masterarbeiten:

Kleine organische Moleküle auf Siliziumoberflächen
Mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie und der hochauflösenden Elektronenenergieverlust-Spektroskopie (HR-EELS, eine Schwingungsspektroskopie) sollen in Zusammenarbeit mit einer Pariser Forschungsgruppe organische Schichten auf Silizium untersucht werden. Die Ergebnisse sollen die Basis für zukünftige Hybridsysteme aus anorganischen Halbleitern und organischen Dünnschichten bilden.

Acrylnitril

 

Ihre Ansprechpartner bei Interesse und weiteren Fragen:
Prof. Dr. U. Köhler oder Niklas Fornefeld


Promotionsstellen:

Erzeugung von oberflächennahen optisch aktiven Defekt-Zentren durch Ionenimplantation im Ultrahochvakuum
Zum nächstmöglichen Zeitpunkt ist in der Arbeitsgruppe Oberflächenphysik der Ruhr-Universität Bochum eine Promotionsstelle zu besetzen. In dieser experimentellen Arbeit soll mit der Hilfe eines im Rahmen einer Vorgängerarbeit entwickelten experimentellen Aufbaus Defektzentren durch Ionenimpantation erzeugt werden, die als Einzel-Photonenquellen oder an Q-Bits in der Quanteninformationstechnik von Interesse sind. Der Aufbau beinhaltet einen Nanopositionierer (Fig. 1), mit dem die Probe nanometergenau positioniert werden kann. Das Besondere des Aufbaus ist, dass die Probenvorbereitung, die Ionenimpantation und die Aktivierung der Zentren im Ultrahochvakuum (UHV) geschieht.

Nanopositionierer

Ein zentrales Untersuchungsthema ist das NV-Zentrum (Nitrogen Vacancy Centers) unter der Diamantoberfläche, ein elektrisch und optisch aktiver Zusammenschluss eines N-Atoms mit einer Gitterfehlstelle. Hier ist das Ziel, die bisher nur sehr geringe Erzeugungseffizienz von Zentren, die (wie für technische Anwendungen nötig) nur wenige Nanometer unter der Oberfläche liegen, zu erhöhen. Die Charakterisierung der hergestellten Proben geschieht in Kooperation mit der TU Dortmund und der Universität Leipzig, siehe Fig. 2. Gemeinsam mit der Universität Duisburg-Essen werden auch Defektzentren in epitaktisch gewachsenen Diamantschichten untersucht. Weiterhin sollen auch für die Quanteninformationstechnik interessante Defektzentren auf Siliziumbasis hergestellt und untersucht werden.

NV-Zentren

 

Ihr Ansprechpartner bei Interesse und weiteren Fragen:
Prof. Dr. U. Köhler

 

Ansprechpartner

Prof. Dr. Ulrich Köhler
Experimentalphydik IV
AG Oberflächen
NB 4/ 166
Tel. Büro: +49 (0)234 32 23651
E-Mail: Ulrich.Koehler at rub.de


Niklas Fornefeld
Wiss. Mitarbeiter
Experimentalphysik IV
AG Oberflächen
Büro: NB 4/31
Labor: NBCF 05 754/755
Tel. Büro: +49 (0)234 32 24519
Tel. Labor: +49 (0)234 32 29446